Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: From silicon to cutting-edge developments: alternative semiconductor materials
Authors: Антипчук, Богдан Олександрович
Keywords: кремній
арсенід галію
gallium arsenide
Issue Date: 2024
Publisher: CPN Publishing Group
Citation: Antypchuk Bohdan. From silicon to cutting-edge developments: alternative semiconductor materials / Bohdan Antypchuk // Topical aspects of modern scientific research : proceedings of X International Scientific and Practical Conference (13-15 June 2024). – Tokyo : CPN Publishing Group, 2024. – P. 137-141.
Abstract: У статті розглянуто питання напівпровідникових матеріалів і хімічних сполук, які використовуються для створення елементної бази електроніки. У статті також наведено короткий опис сучасних матеріалів, альтернативних кремнію та германію, які активно досліджуються і набирають обертів на сировинному ринку для виробництва електронних і радіотехнічних пристроїв.
Description: The article discusses the issues of semiconductor materials and chemical compounds used to create the element base of electronics. The article also provides a brief description of modern materials alternative to silicon and germanium, which are actively being researched and are gaining momentum in the raw materials market for the production of electronic and radio engineering devices.
ISBN: 978-4-9783419-2-1
Appears in Collections:Матеріали конференцій

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
FROM SILICON TO.pdf2,24 MBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.