Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://repozitory.zhatk.zt.ua//handle/123456789/458
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorАнтипчук, Богдан Олександрович-
dc.date.accessioned2024-06-21T11:40:20Z-
dc.date.available2024-06-21T11:40:20Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.citationAntypchuk Bohdan. From silicon to cutting-edge developments: alternative semiconductor materials / Bohdan Antypchuk // Topical aspects of modern scientific research : proceedings of X International Scientific and Practical Conference (13-15 June 2024). – Tokyo : CPN Publishing Group, 2024. – P. 137-141.uk_UA
dc.identifier.isbn978-4-9783419-2-1-
dc.identifier.urihttp://repozitory.zhatk.zt.ua//handle/123456789/458-
dc.descriptionThe article discusses the issues of semiconductor materials and chemical compounds used to create the element base of electronics. The article also provides a brief description of modern materials alternative to silicon and germanium, which are actively being researched and are gaining momentum in the raw materials market for the production of electronic and radio engineering devices.uk_UA
dc.description.abstractУ статті розглянуто питання напівпровідникових матеріалів і хімічних сполук, які використовуються для створення елементної бази електроніки. У статті також наведено короткий опис сучасних матеріалів, альтернативних кремнію та германію, які активно досліджуються і набирають обертів на сировинному ринку для виробництва електронних і радіотехнічних пристроїв.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherCPN Publishing Groupuk_UA
dc.subjectкремнійuk_UA
dc.subjectsiliconuk_UA
dc.subjectгерманійuk_UA
dc.subjectgermaniumuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectgallium arsenideuk_UA
dc.subjectграфенuk_UA
dc.subjectgrapheneuk_UA
dc.subjectмолібденuk_UA
dc.subjectmolybdenumuk_UA
dc.titleFrom silicon to cutting-edge developments: alternative semiconductor materialsuk_UA
dc.typeThesisuk_UA
Розташовується у зібраннях:Матеріали конференцій

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
FROM SILICON TO.pdf2,24 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.