Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://repozitory.zhatk.zt.ua//handle/123456789/458| Назва: | From silicon to cutting-edge developments: alternative semiconductor materials |
| Автори: | Антипчук, Богдан Олександрович |
| Теми: | кремній silicon германій germanium арсенід галію gallium arsenide графен graphene молібден molybdenum |
| Дата публікації: | 2024 |
| Видавництво: | CPN Publishing Group |
| Бібліографічний опис: | Antypchuk Bohdan. From silicon to cutting-edge developments: alternative semiconductor materials / Bohdan Antypchuk // Topical aspects of modern scientific research : proceedings of X International Scientific and Practical Conference (13-15 June 2024). – Tokyo : CPN Publishing Group, 2024. – P. 137-141. |
| Короткий огляд (реферат): | У статті розглянуто питання напівпровідникових матеріалів і хімічних сполук, які використовуються для створення елементної бази електроніки. У статті також наведено короткий опис сучасних матеріалів, альтернативних кремнію та германію, які активно досліджуються і набирають обертів на сировинному ринку для виробництва електронних і радіотехнічних пристроїв. |
| Опис: | The article discusses the issues of semiconductor materials and chemical compounds used to create the element base of electronics. The article also provides a brief description of modern materials alternative to silicon and germanium, which are actively being researched and are gaining momentum in the raw materials market for the production of electronic and radio engineering devices. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repozitory.zhatk.zt.ua//handle/123456789/458 |
| ISBN: | 978-4-9783419-2-1 |
| Розташовується у зібраннях: | Матеріали конференцій |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| FROM SILICON TO.pdf | 2,24 MB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.